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硅集成电路工艺基础 关旭东 9787301065075 北京大学出版社

ISBN：9787301065075
出版社：北京大学出版社
定　价：￥28.00

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• 作　　者：关旭东
• 出 版 社：北京大学出版社
• 出版时间：2003年10月
• 页　　数：349
• 字　　数：0
• 版　　次：1

• 图书详情

• 书名：硅集成电路工艺基础
  编号：3005552
  ISBN：9787301065075[十位:7301065078]
  作者：关旭东
  出版社：北京大学出版社
  出版日期：2003年10月
  页数：349
  定价：40.00 元
  参考重量：0.480Kg
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  * 内容提要 *
  《普通高等教育"十五"国家级规划教材•硅集成电路工艺基础》系统讲述了硅集成电路制造中的单项工艺，内容主要包括硅的晶体结构、氧化、扩散、离子注入、物理气相淀积、化学气相淀积、外延、光刻与刻蚀、金属化与多层互连，最后介绍了CMOS集成电路、双极集成电路以及BiCMOS集成电路的工艺集成。此外，对新工艺、新技术、集成电路工艺技术的发展趋势以及新结构器件对集成电路制造工艺提出的新要求等方面也作了介绍。《普通高等教育"十五"国家级规划教材•硅集成电路工艺基础》可作为高等学校微电子专业本科生和研究生的教材或参考书，也可供从事集成电路制造的工艺技术人员阅读。
  * 图书目录 *
  前言
  第一章 硅的晶体结构
  1.1 硅晶体结构的特点
  1.1.1 晶胞
  1.1.2 原子密度
  1.1.3 共价四面体
  1.1.4 晶体内部的空隙
  
  1.2 晶向、晶面和堆积模型
  1.2.1 晶向
  1.2.2 晶面
  1.2.3 堆积模型图
  1.2.4 双层密排面
  
  1.3 硅晶体中的缺陷
  1.3.1 点缺陷
  1.3.2 线缺陷
  1.3.3 面缺陷
  1.3.4 体缺陷
  1.4 硅中杂质
  1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
  参考文献
  第二章 氧化
  第三章 扩散
  第四章 离子注入
  第五章 物理气相淀积
  第六章 化学气相淀积
  第七章 外延
  第八章 光刻与刻蚀工艺
  第九章 金属化与多层互连
  第十章 工艺集成
  附录
  缩略语及物理量
  * 文章节选 *
  暂无相关介绍
  * 编辑推荐与评论 *
  暂无相关介绍
  * 作者介绍 *
  暂无相关介绍
• 暂无评论。
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